Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
search
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB
  • Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB

Dysk SSD Samsung 990 PRO PCle 4.0 NVMe M.2 2TB

1 251,00 zł
Brutto
 

Polityka bezpieczeństwa

 

Zasady dostawy

 

Zasady zwrotu

MTBF (Średni okres międzyawaryjny)1500000 h
Łącze PCI Expressx4
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia)Tak
Prędkość odczytu z nośnika7450 MB/s
InterfejsPCI Express 4.0
NVMeTak
Losowy odczyt (4KB)1400000 IOPS
Szyfrowanie / bezpieczeństwo256-bit AES
PrzeznaczeniePC
Pojemność pamięci SSD2 TB
Prędkość zapisu nośnika6900 MB/s
Cechy zabiezpieczeńOdporność na wysoką temperaturę
Szyfrowanie sprzętuTak
Obsługa S.M.A.R.T.Tak
Typ dysku SSDM.2
Losowy zapis (4KB)1550000 IOPS
NVMe wersja2.0
Wsparcie TRIMTak
Typ pamięciV-NAND MLC
Średnie zużycie mocy5,5 W
Pobór mocy (bezczynny)0,055 W
Napięcie pracy3,3 V
Szerokość produktu80 mm
Wysokość produktu22 mm
Głębokość produktu2,3 mm
Waga produktu9 g
Maksymalna temperatura eksploatacji70 °C
Wstrząsy podczas pracy1500 G
Zakres temperatur (eksploatacja)0 - 70 °C
Rodzaj opakowaniaPudełko
GwarancjaMiesięcy: 60
Samsung
DIASA1SSD0073

Opis

Gwarancja
Miesięcy: 60
Pojemność pamięci SSD
2000 GB
Przeznaczenie
PC
Szerokość produktu
80 mm
Głębokość produktu
2,3 mm
Wysokość produktu
22 mm
Waga produktu
9 g
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 70 °C
Cechy zabiezpieczeń
Odporność na wysoką temperaturę
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)
1500000 h
Rodzaj opakowania
Pudełko
Średnie zużycie mocy
5,5 W
Typ dysku SSD
M.2
NVMe
Tak
Wstrząsy podczas pracy
1500 G
Interfejs
PCI Express 4.0
Napięcie pracy
3,3 V
Pobór mocy (bezczynny)
0,055 W
Szyfrowanie sprzętu
Tak
Prędkość zapisu nośnika
6900 MB/s
Prędkość odczytu z nośnika
7450 MB/s
Typ pamięci
V-NAND MLC
Losowy odczyt (4KB)
1400000 IOPS
Losowy zapis (4KB)
1550000 IOPS
Wsparcie TRIM
Tak
Obsługa S.M.A.R.T.
Tak
Szyfrowanie / bezpieczeństwo
256-bit AES
NVMe wersja
2.0
Łącze PCI Express
x4
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia)
Tak
Maksymalna temperatura eksploatacji
70 °C

Specyficzne kody

ean13
8806094215038
mpn
MZ-V9P2T0BW
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.