AFOX DDR3 4G 1600MHZ MICRON CHIP AFLD34BN1P

Name: AFOX DDR3 4G 1600MHZ MICRON CHIP AFLD34BN1P
Brand: AFOX
SKU: PAMAFODR30008
Price: 47 PLN
Availability: InStock

47,00 zł

Brutto

Polityka bezpieczeństwa

Zasady dostawy

Zasady zwrotu

Certyfikat środowiskowy (zrównoważonego rozwoju)	RoHS
Certyfikaty	CE
Obsługa kanałów pamięci	Dwukanałowy
Standard JEDEC	Tak
Przepustowość pamięci	12,8 GB/s
Czas aktywności wiersza	35 ns
Rodzaj pamięci	240-pin DIMM
Opóźnienie CAS	11
Pamięć RAM	4 GB
Kolor produktu	Zielony
Odświeżany czas cyklu wiersza	260 ns
Czas cyklu wiersza	48,125 ns
Układ pamięci (moduły x rozmiar)	1 x 4 GB
Kompatybilne chipsety	Intel® H55 Express; Intel® H61 Express; Intel® G41 Express; Intel® H81
Typ pamięci buforowej	Unregistered (unbuffered)
Korekcja ECC	Nie
Napięcie pamięci	1.5 V
Prędkość zegara pamięci	1600 Mhz
Typ pamięci RAM	DDR3
Przeznaczenie	PC/serwer
Szerokość produktu	133 mm
Waga produktu	19 g
Wysokość produktu	30 mm
Zakres temperatur (eksploatacja)	0 - 85 °C
Zakres temperatur (przechowywanie)	-55 - 100 °C
Szerokość opakowania	168 mm
Wysokość opakowania	88 mm
Waga wraz z opakowaniem	37 g
Organizacja chipów	x8 FBGA DRAM
Gwarancja	Miesięcy: 60

Marka AFOX

Indeks PAMAFODR30008

Opis

Gwarancja: Miesięcy: 60
Certyfikat środowiskowy (zrównoważonego rozwoju): RoHS
Prędkość zegara pamięci: 1600 Mhz
Kolor produktu: Zielony
Rodzaj pamięci: 240-pin DIMM
Przeznaczenie: PC/serwer
Zakres temperatur (przechowywanie): -55 - 100 °C
Szerokość produktu: 133 mm
Wysokość produktu: 30 mm
Waga produktu: 19 g
Certyfikaty: CE
Waga wraz z opakowaniem: 37 g
Szerokość opakowania: 168 mm
Wysokość opakowania: 88 mm
Zakres temperatur (eksploatacja): 0 - 85 °C
Pamięć RAM: 4 GB
Typ pamięci RAM: DDR3
Korekcja ECC: Nie
Obsługa kanałów pamięci: Dual-channel
Przepustowość pamięci: 12,8 GB/s
Typ pamięci buforowej: Unregistered (unbuffered)
Napięcie pamięci: 1.5 V
Standard JEDEC: Tak
Układ pamięci (moduły x rozmiar): 1 x 4 GB
Opóźnienie CAS: 11
Kompatybilne chipsety: Intel® G41 Express; Intel® H81; Intel® H61 Express; Intel® H55 Express
Czas aktywności wiersza: 35 ns
Odświeżany czas cyklu wiersza: 260 ns
Czas cyklu wiersza: 48,125 ns
Organizacja chipów: x8 FBGA DRAM